1.真空蒸發鍍膜法就是在1.3× 10-2~1.3×10-3Pa(10-4~10-5Torr)的真空中以電阻加熱鍍膜材料，使它在極短的時間內(nei) 蒸發，蒸發了的鍍膜材料分子沉積在基材表冇上形成鍍膜層。真空鍍膜室是使鍍膜材料蒸發的蒸發源，還有支承基材的工作架或卷繞裝置都是真空蒸發鍍膜設備的主要部分。鍍膜室的真空度鍍膜材料的蒸發熟練地，蒸發距離和蒸發源的間距，以及基材表麵狀態和溫度都是影響鍍膜質量的因素。
2. 磁控濺射法是指電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與(yu) 氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖(lun) 磁力的影響，被束縛在靠近靶麵的等離子體(ti) 區域內(nei) ，該區域內(nei) 等離子體(ti) 密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶麵作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與(yu) 氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。
兩(liang) 種製作方法的比較：
磁控濺射法與(yu) 蒸發法相比，具有鍍膜層與(yu) 基材層的結合力強，鍍膜層致密，均勻等優(you) 點。真空蒸發鍍膜法需要使金屬或金屬化合物蒸發氣化，而加熱溫度又不能太高，否則氣相蒸鍍金屬會(hui) 燒壞被塑料基材，因此，真空蒸鍍法一般僅(jin) 適用於(yu) 鋁等熔點較低的金屬源，是目前應用較為(wei) 廣泛的真空鍍膜工藝。相反，噴濺鍍膜法利用高壓電場激發產(chan) 生等離子體(ti) 鍍膜物質，適用於(yu) 幾乎所有高熔點金屬，合金、非金屬及金屬化合物鍍膜源物質，如鉻、鉬、鎢、鈦、銀、金等。而且它是一種強製性的沉積過程，采用該法獲得的鍍膜層與(yu) 基材附著力遠高於(yu) 真空蒸發鍍法，鍍膜層具有致密，均勻等優(you) 點，加工成本也相對較高。
目前擁有磁控濺射技術的太陽膜生產(chan) 廠家都集中在國外，以美國、日本、德國為(wei) 首。這些產(chan) 品利用磁控濺射技術所生產(chan) 的太陽膜具有膜層致密、均勻有良好的透光性和優(you) 良的光譜選擇性能使其能夠為(wei) 車主帶來舒適、安全的行車環境。
